p-Dotierung

Die p-Dotierung ist ebenfalls eine Form der Dotierung. Dabei wird diese gekennzeichnet durch die Zugabe von Atomen eines Fremdelements. Meist handelt es sich beim zugrunde liegenden Halbleitermaterial von Solarzellen um Silizium. Für die p-Dotierung kommen hingegen vorwiegend Aluminium, Bor, Gallium und Indium zum Einsatz.

Ziel ist es, dass die Leitungsfähigkeit des Halbleiters erhöht wird. Man unterscheidet dabei zwischen dem Elektronenmangel (positiv) und dem Elektronenüberschuss (negativ). Die p-Dotierung ist dabei eine positive Schicht, die einen Elektronenmangel hervorruft. Die Fremdatome sind dreiwertig, das Halbleitermaterial vierwertig, so dass ein Loch in der Kristallstruktur entsteht. Die so entstandene Leerstelle ist dabei positiv geladen, weshalb man hierbei von der positiven oder p-Dotierung spricht.